Samsung начала производство первой UFS 2.0 флеш-памяти на 128 ГБ для смартфонов1 min read

0
Samsung начала производство первой UFS 2.0 флеш-памяти на 128 ГБ для смартфоновSamsung начала производство первой UFS 2.0 флеш-памяти на 128 ГБ для смартфонов

Компания Samsung начала массовое производство ультраскоростной флеш-памяти объёмом 128 ГБ, выполненной по технологии UFS 2.0, предназначенной для использования в смартфонах. Данная технология является самой передовой в мире JEDEC-совместимой спецификацией для флеш-накопителей следующего поколения.

Samsung начала производство первой UFS 2.0 флеш-памяти на 128 ГБ для смартфоновSamsung начала производство первой UFS 2.0 флеш-памяти на 128 ГБ для смартфонов

Компания Samsung начала массовое производство ультраскоростной флеш-памяти объёмом 128 ГБ, выполненной по технологии UFS 2.0, предназначенной для использования в смартфонах. Данная технология является самой передовой в мире JEDEC-совместимой спецификацией для флеш-накопителей следующего поколения. Также Samsung использовала собственную технологию Command Queue, повышающую скорость выполнения операций в SSD-накопителях благодаря последовательному интерфейсу, что значительно увеличивает скорость обработки данных по сравнению с 8-битным параллельным интерфейсом на основе стандарта eMMC.

\»С запуском в массовое производство ультрабыстрой UFS флеш-памяти с самой большой в индустрии емкостью мы делаем значительный вклад в то, чтобы обеспечить более продвинутый мобильный опыт для потребителей. В будущем мы продолжим увеличивать количество наших решений для хранения данных с высокой пропускной способностью, стимулируя дальнейший рост рынка премиум памяти\», — сказал Джи Хо Бэк, старший вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing компании Samsung Electronics.

В результате использования новых технологий производительность при операциях чтения с произвольным доступом новинки от Samsung составляет 19 000 операций ввода/вывода в секунду, что в 2,7 раза быстрее, чем скорость самого распространённого на сегодняшний день типа встроенной памяти EMMC 5,0, используемого в смартфонах. Также это в 12 раз быстрее по сравнению с стандартными картами высокоскоростной памяти, где этот показатель достигает только 1 500 операций ввода/вывода в секунду. При последовательном чтении и записи производительность этой технологии достигает уровня SSD. Что более важно, новая память от Samsung использует на 50% меньше энергии.

Компания уверена, что память, выполненная по технологии UFS, будет активно использоваться в устройствах высокого класса, тогда как eMMC-решения найдут широкое применение среди устройств средней ценовой категории.

Производительность UFS 2.0 флэш-памяти при операциях записи с произвольным доступом составляет 14 000 операций ввода/вывода в секунду, что в 28 раз быстрее, чем скорость обычной внешней карты памяти, обеспечивая плавное воспроизведение UHD-видео и работу в режиме многозадачности.

Samsung будет производить новую память в версиях на 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Последняя в два раза превышает ёмкость решений из линейки EMMC южнокорейского производителя, что делает её идеальным решением для топовых мобильных устройств. Для обеспечения больших возможностей для своих клиентов, Samsung предлагает ePoP-модуль, который можно установить непосредственно на логической микросхеме, занимающий примерно на 50% меньше места.

Top