Опрос посетителей
Пользуетесь ли вы тёмной темой на смартфоне?

08 окт 01:08Техника

3-нм процессоры Samsung: на 30% мощнее при том же энергопотреблении

В рамках конференции Samsung Foundry Forum 2021 был представлен первый 3-нм чип компании. Вендор раскрыл характеристики и график выхода новинки, а также сообщил, что на подходе продукт с 2-нанометровыми транзисторами.

В представленной микросхеме, выполненной по 3-нм техпроцессу, используется технология Gate-All-Around (GAA). В отличие от предыдущего поколения (5-нм) на базе архитектуры FinFET, новинка получила дизайн MBCFET с применением нанолистов для создания транзисторов. Благодаря этому чипы при меньшей на 35% площади демонстрируют повышенную на 30% производительность при том же энергопотреблении или пониженное на 50% энергопотребление при той же производительности.

При этом Samsung планирует выпустить полупроводники по технологии GAA в двух версиях: с низким энергопотреблением — 3GAE, которая поступит в массовое производство в начале 2022 года, и высокопроизводительный вариант 3GAP с запуском годом позже, в 2023-м. Что касается дорожной карты выхода новых микросхем, выполненных по 2-нм техпроцессу, 2GAP на базе MBCFET, они будут запущены в массовое производство в 2025 году.

Примечательно, что TSMC планирует выпуск полупроводников с 2-нанометровыми транзисторами уже в 2024 году.

Добавить комментарий
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Личный кабинет
Партнеры
Рекомендуем
  • Advmaker - Реклама формата Banners, ClickUnder, Sliding Banner и Видеореклама.